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日本arios小型濺射系統 SS-DC?RF301 離子濺射儀

訪問次數:1107

更新日期:2024-03-24

簡要描述:

日本arios小型濺射系統 SS-DC?RF301
這是一種使用濺射(通常縮寫為濺射)的薄膜沉積裝置。 濺射成膜的特點是飛入基板的顆粒具有相對較大的能量,因此可以產生具有高附著力的強膜。

日本arios小型濺射系統 SS-DC?RF301 離子濺射儀
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日本arios小型濺射系統 SS-DC?RF301


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總結

這是一種使用濺射(通常縮寫為濺射)的薄膜沉積裝置。 濺射成膜的特點是飛入基板的顆粒具有相對較大的能量,因此可以產生具有高附著力的強膜。 另一方面,由于等離子體是用氬氣和其他物質制成的,并且這作用于基材,因此基板表面的粗糙度可能是一個問題。
該裝置是一種小型濺射裝置,配備一個2“磁控管陰極和一個板加熱機構。 所有功能都封裝在JIS機架尺寸中,以追求節省空間和易用性。 我們還擁有與 UHV 兼容的飛濺設備,并配有交換室。

特征

  1. 雖然體積小,但具有與成熟的濺射設備相同的規格和性能。

  2. 憑借其緊湊、輕巧和簡單的設計,它可以安裝在辦公桌的一半左右的空間內。

  3. 電路板上下機制允許您任意設置目標和電路板之間的距離。

  4. 基板加熱可以在高溫下進行。

  5. 標準冷水機組僅允許使用電力和燃氣運行。

  6. 法蘭可互換,可以重新組合為向上濺射和向下濺射。

  7. 濺射電源可選擇直流或射頻。

日本arios小型濺射系統 SS-DC?RF301

主機規格

極限壓力3×10-4 Pa以下
泄漏量1×10-8 Pa?m3/秒以下(不包括O型圈傳輸)
排氣系統TMP+ 隔膜泵
真空計全量程真空計(冷陰極+皮拉尼真空計)
董事會階段2英寸兼容載物臺
基板加熱溫度最高 500°C(可選最高 800°C 支持)
板垂直機構行程 100mm 手動操作O型圈軸封
陰極磁控管陰極(詳情如下)
供氣系統MFC1 (Ar) 1/4 世偉洛克 TM 或 VCRTM 連接
主體支架在腳輪調節器上
尺寸和重量W540×D600 H1280(不包括連接器等),重量約100kg
效用AC200V 單相 20A
工藝氣體 : 氬氣(1/4 世偉洛克 TM 或 1/4 VCR TM)
氮氣(用于吹掃):0.05~0.1 MPa(1/4 世偉洛克 TM 或 1/4 VCR TM)

陰極

目標大小2英寸(參考照片))
目標材料各種機械卡盤類型或粘接方式
冷卻方式水冷式(配備冷水機組)
權力直流輸出 500W 或射頻輸出 300W


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