日本ae-mic用于超高速芯片電阻檢測AE-162D

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更新日期：2024-03-18

簡要描述：

日本ae-mic用于超高速芯片電阻檢測AE-162D
D，F(xiàn)，G，J，K類，切屑，熔體，徑向和軸向電阻器的分揀機(jī)和編帶機(jī)的理想選擇

日本ae-mic用于超高速芯片電阻檢測AE-162D

D，F(xiàn)，G，J，K類，切屑，熔體，?徑向和軸向電阻器的?分揀機(jī)和編帶機(jī)的理想選擇

由于從模擬到數(shù)字的隔離而提高了抗噪聲能力，因此具有很高的穩(wěn)定性
與極小的芯片兼容（低功率測量）
超高速0.7毫秒（代表值）
通過靜態(tài)功率抵消測量實(shí)現(xiàn)高精度和高穩(wěn)定性
通過對每個(gè)范圍進(jìn)行測量值積分時(shí)間設(shè)置功能，實(shí)現(xiàn)超高速和高穩(wěn)定性測量
％測量：±99.99％[5mΩ-109MΩ]
測量：0.00mΩ?200.00MΩ
接觸檢查：測量前/測量后/ OFF
RS-232C接口標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備（GP-IB是可選的）
打印機(jī)輸出標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備（與Centronics兼容）
設(shè)置值傳送功能作為標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備：（相同的設(shè)置數(shù)據(jù)可以傳送到另一臺(tái)AE-162D并自動(dòng)設(shè)置）
測量電流/測量電壓異常檢查電路的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備

校準(zhǔn)后180天[校準(zhǔn)后1年：1.5倍]的測量范圍和基本精度（環(huán)境溫度23°C±5°C）

日本ae-mic用于超高速芯片電阻檢測AE-162D

測量范圍	標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定范圍	實(shí)測電流	測量精度^*
測量范圍	標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定范圍	實(shí)測電流	慢	快速
100毫歐	5mΩ-100mΩ	100毫安	≤±0.02％±2a±2d	≤±0.03％±3a±2d±[2 /（1 + n）] d
1Ω	100.1mΩ?1Ω	100毫安	在±0.02％±a±1d之內(nèi)	≤±0.02％±a±2d±[2 /（1 + n）] d
10Ω	1.001Ω?10Ω	50毫安	在±0.02％±a±1d之內(nèi)	≤±0.02％±a±2d±[2 /（1 + n）] d
100Ω	10.01Ω-100Ω	10毫安	±0.02％±1d以內(nèi)	在±0.02％±2d±[1 /（1 + n）] d之內(nèi)
1kΩ	100.1Ω?1kΩ	5毫安
10kΩ的	1.001kΩ?10kΩ	0.5毫安
100kΩ的	10.01kΩ-100kΩ	50微安
1兆歐	100.1kΩ?1MΩ	5微安		在±0.05％±2d±[1 /（1 + n）] d之內(nèi)
10兆歐	1.001MΩ?10MΩ	0.5微安	±0.03％±1d以內(nèi)	在±0.2％±4d±[1 /（1 + n）] d之內(nèi)
100兆歐	10.01MΩ?109MΩ	0.05微安	±0.1％±2d以內(nèi)	───

* D =數(shù)字，n =積分時(shí)間（毫秒），％測量：α=（100 /標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定值mΩ）x 0.01％，值測量：α= 0（加±1d）
*完整屏蔽狀態(tài)下的精度

測量時(shí)間	外部啟動(dòng)		自由奔跑
	慢	快速	慢	快速
	大約18毫秒-400毫秒	大約0.7毫秒-400毫秒	約30次/秒? 約2次/秒	約60次/秒? 約2次/秒

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